Vishay N-Kanal, MOSFET, 445 A 30 V Udtømning, 4 Ben, PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8676
- Producentens varenummer:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 71,51
(ekskl. moms)
Kr. 89,39
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 2.000 enhed(er) afsendes fra 11. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 35,755 | Kr. 71,51 |
| 20 - 48 | Kr. 33,585 | Kr. 67,17 |
| 50 - 98 | Kr. 30,445 | Kr. 60,89 |
| 100 - 198 | Kr. 28,535 | Kr. 57,07 |
| 200 + | Kr. 26,855 | Kr. 53,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8676
- Producentens varenummer:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 445A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.00253Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 255W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 445A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.00253Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 255W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 4.9mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET er en Gen IV Power N-kanal MOSFET til brug i biler, som kører ved 100 V og 175 C temperatur. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed.
AEC-Q101 kvalificeret
UIS testet
Tynd pakke
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 445 A 30 V Udtømning PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 37 A 60 V Udtømning PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 445 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 293 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 248 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 437 A 30 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 278 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
