Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 445 A 30 V Udtømning, 4 Ben, PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 239-8681
- Producentens varenummer:
- SQJQ150E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 100,08
(ekskl. moms)
Kr. 125,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 20,016 | Kr. 100,08 |
| 50 - 120 | Kr. 18,82 | Kr. 94,10 |
| 125 - 245 | Kr. 17,024 | Kr. 85,12 |
| 250 - 495 | Kr. 16,008 | Kr. 80,04 |
| 500 + | Kr. 15,004 | Kr. 75,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-8681
- Producentens varenummer:
- SQJQ150E-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 445A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK (8x8L) | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0019Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 43nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 255W | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 445A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK (8x8L) | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0019Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 43nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 255W | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Vishay SQJQ er N-kanal MOSFET til brug i biler, som kører ved 40 V og 175 grader C. Denne MOSFET bruges til høj effekttæthed.
AEC-Q101 kvalificeret
UIS testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 445 A 30 V Udtømning PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 37 A 60 V Udtømning PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type P-Kanal 445 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L), TrenchFET Gen IV AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 118 A 30 V Forbedring PowerPAK (8x8L) AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 602 A 60 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 60 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 315 A 40 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 40 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 437 A 30 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 30 V AEC-Q101
- Vishay Type N-Kanal 248 A 80 V PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V AEC-Q101
