STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Forbedring, 4 Ben, TO-247, STW AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 240-0612
- Producentens varenummer:
- STW75N65DM6-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 106,07
(ekskl. moms)
Kr. 132,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 22 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 106,07 |
| 10 - 119 | Kr. 79,36 |
| 120 - 509 | Kr. 70,76 |
| 510 + | Kr. 69,86 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-0612
- Producentens varenummer:
- STW75N65DM6-4
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 55A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | STW | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 45mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 118nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 480W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.8mm | |
| Længde | 40.92mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | UL | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 55A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie STW | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 45mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 118nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 480W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.8mm | ||
Længde 40.92mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser UL | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh DM6-serien af hurtige gendannelsesdioder, sammenlignet med den tidligere hurtige MDmesh-generation, DM6 kombinerer meget lav genoprettelsesladning (Qrr), Restitutionstid (trr) og fremragende forbedring af RDS(on) pr. område med en af de mest effektive koblingsformer på markedet for de mest krævende højeffektive brotopologier og ZVS faseskiftkonvertere.
Diode til hus med hurtig genindvinding
Lavere RDS (til) pr. område vs. forrige generation
Lav gate-opladning, indgangskapacitet og modstand
100 % avalanche-testet
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 30 V Forbedring TO-247, STW AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 92 A Forbedring TO-247-4, STW
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A Forbedring TO-247, STW
- STMicroelectronics N-Kanal 92 A Forbedring TO-247, STW
- STMicroelectronics N-Kanal 3 Ben SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V Forbedring Hip-247, SCTWA40N12G24AG AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 40 A 1200 V Forbedring Hip-247-4, SCT AEC-Q101