Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLPAK33
- RS-varenummer:
- 240-1979
- Producentens varenummer:
- PXN010-30QLJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 42,55
(ekskl. moms)
Kr. 53,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 05. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 1,702 | Kr. 42,55 |
| 50 - 75 | Kr. 1,666 | Kr. 41,65 |
| 100 - 225 | Kr. 1,272 | Kr. 31,80 |
| 250 - 975 | Kr. 1,245 | Kr. 31,13 |
| 1000 + | Kr. 1,158 | Kr. 28,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-1979
- Producentens varenummer:
- PXN010-30QLJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MLPAK33 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 12.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MLPAK33 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 12.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanal forstærkningsmodus felteffekttransistor (FET) i et overflademonteret enhed (SMD) med MLPAK33 (SOT8002) plasthus ved hjælp af Trench MOSFET-teknologi.
Kompatibel med logikniveau
Trench MOSFET-teknologi
Ultralav QG og QGD for høj systemeffektivitet, især ved højere switching-frekvenser
Superhurtigt skift med blød gendannelse
Lav fortanding og ringning til design med lav EMI
MLPAK33 hus (3.3 x 3.3 mm bundareal)
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 10.3 A 25 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 14 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 12.7 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 11.4 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 7.9 A 30 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 15 A 30 V Forbedring MLPAK33