Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 7.5 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLPAK33 Nej PXN018-30QLJ
- RS-varenummer:
- 240-1985
- Producentens varenummer:
- PXN018-30QLJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 39,275
(ekskl. moms)
Kr. 49,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.850 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 1,571 | Kr. 39,28 |
| 50 - 75 | Kr. 1,541 | Kr. 38,53 |
| 100 - 225 | Kr. 1,182 | Kr. 29,55 |
| 250 - 975 | Kr. 1,155 | Kr. 28,88 |
| 1000 + | Kr. 0,718 | Kr. 17,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 240-1985
- Producentens varenummer:
- PXN018-30QLJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 7.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MLPAK33 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 12.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 7.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MLPAK33 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 12.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia N-kanal forstærkningsmodus felteffekttransistor (FET) i et overflademonteret enhed (SMD) med MLPAK33 (SOT8002) plasthus ved hjælp af Trench MOSFET-teknologi.
Kompatibel med logikniveau
Trench MOSFET-teknologi
MLPAK33 hus (3.3 x 3.3 mm bundareal)
Relaterede links
- Nexperia N-Kanal 7 8 ben, MLPAK33 PXN018-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 11 8 ben, MLPAK33 PXN8R3-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 14 A 30 V MLPAK33 PXN5R4-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 12 8 ben, MLPAK33 PXN6R7-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 10 8 ben, MLPAK33 PXN010-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 7 8 ben, MLPAK33 PXN017-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 15 A 30 V MLPAK33 PXN4R7-30QLJ
- Nexperia N-Kanal 11 8 ben, MLPAK33 PXN9R0-30QLJ
