Infineon N-Kanal, MOSFET, 29 A 650 V, 5 ben, ThinPAK 8 x 8 IPL65R095CFD7AUMA1

Infineon 650V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET leveres i et ThinPAK 8x8 hus, der er ideelt egnet til resonante topologier i industrielle anvendelser, som f.eks. server-, telekommunikations-, sol- og EV-ladestationer, hvor den muliggør betydelige effektivitetsforbedringer i forhold til konkurrenterne. Som efterfølger til CFD2 SJ MOSFET serien leveres den med reduceret gate-opladning, forbedret slukfunktion og reduceret reverse recovery-opladning, der giver den højeste effektivitet og effekttæthed samt yderligere 50V gennemslagsspænding.

Markant reduceret tab ved skift i forhold til konkurrenterne
Ekstra sikkerhedsmargen for konstruktioner med øget buspænding
Forbedret effektivitet ved fuld belastning i industrielle SMPS-anvendelser
Høj effekttæthed