Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 1700 V, TO-247, MSC750SMA170B
- RS-varenummer:
- 241-9278P
- Producentens varenummer:
- MSC750SMA170B
- Brand:
- Microchip
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 349,70
(ekskl. moms)
Kr. 437,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 114 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 98 | Kr. 34,97 |
| 100 + | Kr. 32,725 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9278P
- Producentens varenummer:
- MSC750SMA170B
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1700V | |
| Serie | MSC750SMA170B | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 11nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1700V | ||
Serie MSC750SMA170B | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Drain source modstand maks. Rds 8Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 11nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Microchip-serien af MOSFET-produkter med siliciumkarbid fra Micro semi øger ydeevnen i forhold til silicium MOSFET- og silicium IGBT-løsninger, samtidig med at de samlede ejeromkostninger for højspændingsanvendelser reduceres.
Lav kapacitet og lav gate-opladning
Hurtig skiftehastighed på grund af lav intern gate-modstand
Stabil drift ved høj samledstemperatur TJ (maks.) lig med 175 oC
Hurtig og pålidelig husdiode
Fremragende modstandsdygtighed mod laviner
I overensstemmelse med RoHS