Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0 Nej BSC022N04LS6ATMA1
- RS-varenummer:
- 241-9690
- Producentens varenummer:
- BSC022N04LS6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 23,34
(ekskl. moms)
Kr. 29,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,67 | Kr. 23,34 |
| 20 - 48 | Kr. 10,51 | Kr. 21,02 |
| 50 - 98 | Kr. 9,80 | Kr. 19,60 |
| 100 - 198 | Kr. 9,20 | Kr. 18,40 |
| 200 + | Kr. 8,525 | Kr. 17,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9690
- Producentens varenummer:
- BSC022N04LS6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 381A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC0 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 381A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC0 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is a N channel MOSFET which is optimized for synchronous application. 100 % avalanche-testet.
Ekstremt lav modstand ved tændt
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 139 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC022N04LS6ATMA1
- Infineon N-Kanal 40 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 6 ISC010N04NM6ATMA1
- Infineon N-Kanal 98 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC032N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 81 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC054N04NSGATMA1
- Infineon N-Kanal 134 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC022N04LSATMA1
- Infineon N-Kanal 195 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ BSC014N04LSIATMA1
- Infineon N-Kanal 70 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ IPC70N04S5L4R2ATMA1
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V SuperSO8 5 x 6, OptiMOS™ 5 IPC100N04S52R8ATMA1
