Infineon 2 Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 40 V, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC072N04LD
- RS-varenummer:
- 241-9695
- Producentens varenummer:
- BSC072N04LDATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 22,81
(ekskl. moms)
Kr. 28,512
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.486 enhed(er) afsendes fra 22. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,405 | Kr. 22,81 |
| 20 - 48 | Kr. 9,91 | Kr. 19,82 |
| 50 - 98 | Kr. 9,35 | Kr. 18,70 |
| 100 - 198 | Kr. 8,675 | Kr. 17,35 |
| 200 + | Kr. 8,005 | Kr. 16,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9695
- Producentens varenummer:
- BSC072N04LDATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC072N04LD | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.2mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 65W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 52nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56 | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC072N04LD | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.2mΩ | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 65W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser IEC climatic Category, DIN IEC 68-1:55/175/56 | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS T2 effekttransistor er en dobbelt N-kanal MOSFET, der har fremragende termisk modstandsdygtighed. Den er halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21.
MOSFET'er med hurtig skifte til SMPS
Optimeret teknologi til synkron ensretning
Relaterede links
- Infineon 2 Type N-Kanal 20 A 40 V SuperSO8 5 x 6, BSC072N04LD
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 381 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSC0
- Infineon Type N-Kanal 212 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSZ
- Infineon Type N-Kanal 381 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, BSC
- RS PRO Kabelsko/Crimpterminaler i sæt
- 1-AR40-10-48 | Air 110k/tm, Diameter: 1170mm Air 40 48V
- RS PRO Rustfrit stål
