Infineon N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, PQFN, BSZ
- RS-varenummer:
- 241-9701P
- Producentens varenummer:
- BSZ021N04LS6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 148,90
(ekskl. moms)
Kr. 186,12
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.864 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 7,445 |
| 50 - 98 | Kr. 7,03 |
| 100 - 198 | Kr. 6,545 |
| 200 + | Kr. 5,985 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9701P
- Producentens varenummer:
- BSZ021N04LS6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor is a N channel MOSFET which has very low on-resistance. Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC til målanvendelse
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21
100 % avalanche-testet