Infineon N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, TDSON-8 FL, BSC0

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals koblingsenhed, der er designet til overflademonterede strømanvendelser, hvor der kræves lav modstand ved tænding og hurtig gate-reaktion. Den fungerer over et bredt temperaturområde, der er velegnet til krævende miljøer, og leveres i et kompakt TDSON-8 FL-hus til integration på kortniveau.

• Ultralav Rds(on) på 0.7 mΩ reducerer ledningstab og varmeudvikling
• Maks. kontinuerlig Id 381 A understøtter høj strømforsyning i systemer
• Vds 40 V muliggør brug i mellemspændingsstrømskinner og omformere
• Pd 81 W muliggør betydelig effekthåndtering uden umiddelbar termisk udfald
• Qg 80 nC gate-ladning muliggør hurtig omskiftning til dynamiske belastninger
• Vgs 20 V portklassificering giver fleksible portdrevspændinger til styringskredsløb

• Velegnet til synkrone ensretningstrin med høj strømstyrke
• Ideel til strømkonvertering i server- og telekommunikationsudstyr
• Anvendes til motordrev halve broer og H-bro-konfigurationer
• Kan bruges til batteristyring og DC-DC-omformere
• Anvendes sammen med højeffekts MOSFET-arrays på kompakte strømkort

Den leveres i et TDSON-8 FL-hus og er beregnet til overflademontering på printkort.

Enheden fungerer mellem -55 °C og 175 °C for udvidet miljøtolerance.

Den typiske gate-ladning er 80 nC, hvilket bestemmer drivstrøm og skifteovergange.

en fremadgående spænding på 1 V påvirker effekttab under ledning og skal tages i betragtning i termisk design.