Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC0 Nej BSC026NE2LS5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 50,93

(ekskl. moms)

Kr. 63,66

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.705 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 10,186Kr. 50,93
50 - 120Kr. 9,17Kr. 45,85
125 - 245Kr. 8,572Kr. 42,86
250 - 495Kr. 7,944Kr. 39,72
500 +Kr. 7,436Kr. 37,18

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
241-9671
Producentens varenummer:
BSC026NE2LS5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

381A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

BSC0

Emballagetype

SuperSO8 5 x 6

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

The Infineon OptiMOS™ 5 N-channel power MOSFET has 25 V drain source voltage (VDS) & 82 A drain current (ID). It offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation. It has best-in-class on-state resistance and have broader use in desktop and server, high power density voltage regulator, etc.

Optimized for high performance buck converters

Very low on-resistance RDS(on)@VGS = 4.5V

100 % avalanche-testet

Fremragende termisk modstand

, 4 (N-kanal)

Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser

Blyfri forgyldning

I overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Relaterede links