Infineon N-Kanal, MOSFET, 381 A 60 V N, 8 Ben, TDSON, BSC0

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals effekttransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser, hvor effektiv kobling og termisk modstandsdygtighed er påkrævet i krævende temperaturområder. Den fungerer som en logikkompatibel kontakt til effekttrin og leverer en betydelig kontinuerlig strømkapacitet, samtidig med at den er velegnet til kompakte kortlayouts og enheder, der kræver lav modstand ved tænding og kontrollerede gate-drevkarakteristika.

• 60 V afløbsspændingsgrænser muliggør robust mellemspændingsswitching
• 381 A konstant strøm giver høj vedvarende belastningskapacitet
• 0,7 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab under tunge belastninger
• 81 W effekttab giver betydelig termisk overflade
• 80 nC typisk gate-ladning understøtter hurtigere omskiftning med moderat drev
• 1,2 V fremadgående diodespænding minimerer genopretningsbelastningen under omskiftning

• Velegnet til stærkt strømførende motordrevstrin på kompakte kort
• Ideel til synkron ensretning i strømomformere
• Anvendes sammen med batteristyringssystemer, der kræver lavt ledningstab
• Kan bruges til omskiftertrin i DC-DC-strømmoduler
• Velegnet til industrielle drev, der kører på tværs af brede temperaturer

Et gate-drev op til maks. 20 V Vgs er tilladt, men typisk drev på logisk niveau bør tage hensyn til 80 nC gate-ladning, når du dimensionerer driveren for at opnå de ønskede overgangshastigheder.

Med en nominel maksimal dissipation på 81 W skal kortdesignet give et tilstrækkeligt kobberareal og termiske ledninger til at lede varmen væk fra TDSON-pakken for vedvarende højstrømsdrift.

Den fungerer over et bredt omgivelsesområde fra -55 °C op til +150 °C og understøtter design, der udsættes for ekstreme temperaturer.

1,2 V fremadgående diode-karakteristika reducerer spidsgenopretningsbelastningen under tilstandsskift, hvilket påvirker snubber- og klemmekravene.