Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDON-8 FL, BSZ
- RS-varenummer:
- 241-9887
- Producentens varenummer:
- BSZ0500NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 31,94
(ekskl. moms)
Kr. 39,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.000 enhed(er) afsendes fra 11. marts 2027
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 22. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 15,97 | Kr. 31,94 |
| 20 - 48 | Kr. 14,40 | Kr. 28,80 |
| 50 - 98 | Kr. 13,39 | Kr. 26,78 |
| 100 - 198 | Kr. 12,49 | Kr. 24,98 |
| 200 + | Kr. 11,67 | Kr. 23,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 241-9887
- Producentens varenummer:
- BSZ0500NSIATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 212A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Emballagetype | TSDON-8 FL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 212A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie BSZ | ||
Emballagetype TSDON-8 FL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor er en N-kanal MOSFET, som er optimeret til højtydende buck-konvertere. Den har blyfri blybelægning.
Monolithisk integreret Schottky-lignende diode
Meget lav modstand ved tændt