Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 242-0303
- Producentens varenummer:
- IAUC100N10S5L040ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 46,15
(ekskl. moms)
Kr. 57,69
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 4.438 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 23,075 | Kr. 46,15 |
| 20 - 48 | Kr. 20,495 | Kr. 40,99 |
| 50 - 98 | Kr. 19,15 | Kr. 38,30 |
| 100 - 198 | Kr. 18,025 | Kr. 36,05 |
| 200 + | Kr. 16,57 | Kr. 33,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0303
- Producentens varenummer:
- IAUC100N10S5L040ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-5 effekttransistor er en N-kanal MOSFET. Det er 100% lavine-testet.
Kan anvendes til automatisk optisk inspektion (AOI)
AEC-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 100 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 60 A 20 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 24 A 100 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 80 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO, IAUC AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 120 A 40 V Forbedring TDSON, IAUC AEC-Q101