Nexperia 2 Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 40 V, 8 Ben, LFPAK56D, PSMN013
- RS-varenummer:
- 243-4871
- Producentens varenummer:
- PSMN013-40VLDX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,09
(ekskl. moms)
Kr. 107,61
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.480 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 8,609 | Kr. 86,09 |
| 50 - 90 | Kr. 8,43 | Kr. 84,30 |
| 100 - 240 | Kr. 6,657 | Kr. 66,57 |
| 250 - 490 | Kr. 6,523 | Kr. 65,23 |
| 500 + | Kr. 5,528 | Kr. 55,28 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4871
- Producentens varenummer:
- PSMN013-40VLDX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | LFPAK56D | |
| Serie | PSMN013 | |
| Benantal | 8 | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 46W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.3nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype LFPAK56D | ||
Serie PSMN013 | ||
Benantal 8 | ||
Effektafsættelse maks. Pd 46W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.3nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia dobbelt N-kanal MOSFET med standardniveau i et LFPAK56D-hus (halvbro-konfiguration) ved hjælp af Next Power S3-teknologi. Der er en intern forbindelse mellem kilden (S1) fra den høje side af FET og drænet (D2) fra den lave side af FET, hvilket gør enheden ideel til brug som halvbro-switch i højtydende PWM og pladsbesparende motordrev.
Reduceret kompleksitet i printlayout
Modulkrympning via reduceret komponentantal
Lavere parasitisk selvinduktion for at understøtte højere effektivitet
Lavt effekttab, høj effekttæthed
Overlegen lavine-ydelse
Normeret periodisk lavine
LFPAK kobberklemme-emballage giver høj robusthed og pålidelighed
Håndholdt el-værktøj, bærbart apparat og anvendelser med begrænset plads
Børsteløs eller børstet DC-motordrev
DC-til-DC-systemer
LED-belysning
Relaterede links
- Nexperia 2 Type N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D, PSMN013
- Nexperia 2 Type N-Kanal 42 A 40 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 40 A 60 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 18.2 A 40 V LFPAK56D
- Nexperia 2 Type N-Kanal 98 A 40 V LFPAK56D
- Nexperia Type N-Kanal 42 A 40 V Forbedring LFPAK, NextPowerS3
- Nexperia Type N-Kanal 42 A 60 V Forbedring MLPAK33
- Nexperia Type N-Kanal 40 A 60 V, SOT