Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Forbedring, 8 Ben, MLPAK33 Nej PXP011-20QXJ
- RS-varenummer:
- 243-4879
- Producentens varenummer:
- PXP011-20QXJ
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 62,225
(ekskl. moms)
Kr. 77,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.950 enhed(er) afsendes fra 07. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 2,489 | Kr. 62,23 |
| 50 - 75 | Kr. 2,438 | Kr. 60,95 |
| 100 - 225 | Kr. 1,909 | Kr. 47,73 |
| 250 - 975 | Kr. 1,873 | Kr. 46,83 |
| 1000 + | Kr. 1,206 | Kr. 30,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-4879
- Producentens varenummer:
- PXP011-20QXJ
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | MLPAK33 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype MLPAK33 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nexperia P-kanal forstærkende mode felteffekttransistor (FET) i et MLPAK33 (SOT8002) overflademonteret enhed (SMD) plasthus ved hjælp af Trench MOSFET-teknologi.
Lav tærskelspænding
Trench MOSFET-teknologi
Høj-side belastningsomskifter
Batteristyring
DC-til-DC-konvertering
Koblingskredsløb
Relaterede links
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej
- Nexperia Type P-Kanal 12.1 A 20 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP020-20QXJ
- Nexperia Type P-Kanal 13.7 A 20 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP018-20QXJ
- Nexperia Type P-Kanal 20.2 A 20 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP8R3-20QXJ
- Nexperia Type P-Kanal 10.3 A 30 V Forbedring MLPAK33 Nej PXP013-30QLJ
- Nexperia Type P-Kanal 12.1 A 20 V Forbedring MLPAK33 Nej
- Nexperia Type P-Kanal 20.2 A 20 V Forbedring MLPAK33 Nej
- Nexperia Type P-Kanal 13.7 A 20 V Forbedring MLPAK33 Nej
