Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9299
- Producentens varenummer:
- IRFH8324TRPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 13,76
(ekskl. moms)
Kr. 17,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.890 enhed(er) afsendes fra 11. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 2,752 | Kr. 13,76 |
| 50 - 120 | Kr. 2,484 | Kr. 12,42 |
| 125 - 245 | Kr. 2,304 | Kr. 11,52 |
| 250 - 495 | Kr. 2,14 | Kr. 10,70 |
| 500 + | Kr. 2,004 | Kr. 10,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9299
- Producentens varenummer:
- IRFH8324TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 192A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 6.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.2mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 192A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 6.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.2mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IRFH8324TRPBF N-kanal Power MOSFET er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.
Lav termisk modstand til printkort (< 2,3 C/W)
Blødere body-diode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration
Lavprofil (<1,2mm)
Kompatibel med eksisterende teknikker til overflademontering
Overholder RoHS og indeholder ingen bly, ingen bromid og ingen halogen