Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 192 A 40 V, 8 Ben, PQFN, IRFH AEC-Q101 IRFH8324TRPBF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 14,25

(ekskl. moms)

Kr. 17,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 3.890 enhed(er) afsendes fra 19. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 2,85Kr. 14,25
50 - 120Kr. 2,574Kr. 12,87
125 - 245Kr. 2,394Kr. 11,97
250 - 495Kr. 2,214Kr. 11,07
500 +Kr. 2,094Kr. 10,47

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
243-9299
Producentens varenummer:
IRFH8324TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

192A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

PQFN

Serie

IRFH

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

5.3 mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

6.3mm

Højde

1.2mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon IRFH8324TRPBF N-kanal Power MOSFET er optimeret til lav RDS (til) og høj strømkapacitet. Enhederne er ideelle til lavfrekvente anvendelser, der kræver ydeevne og robusthed. Den omfattende portefølje dækker en lang række anvendelser, herunder DC-motorer, batteristyringssystemer, invertere og DC-DC-konvertere.

Lav termisk modstand til printkort (< 2,3 C/W)

Blødere body-diode sammenlignet med tidligere siliciumgeneration

Lavprofil (<1,2mm)

Kompatibel med eksisterende teknikker til overflademontering

Overholder RoHS og indeholder ingen bly, ingen bromid og ingen halogen

Relaterede links