Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

RS-varenummer:: 243-9316
Producentens varenummer:: IAUC80N04S6N036ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 80 A 20 V Forbedring, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 5000 enheder)*

Kr. 9.190,00

(ekskl. moms)

Kr. 11.490,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
5000 +	Kr. 1,838	Kr. 9.190,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 243-9316
Producentens varenummer:: IAUC80N04S6N036ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	80A
	Drain source spænding maks. Vds	20V
	Serie	IAUC
	Emballagetype	SuperSO8 5 x 6
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	1.1V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Portkildespænding maks.	20V
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A
	Drain source spænding maks. Vds 20V
	Serie IAUC
	Emballagetype SuperSO8 5 x 6
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf 1.1V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Portkildespænding maks. 20V
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IAUC80N04S6N036ATMA1

Infineon IAUC seriens MOSFET, 20 V maksimal drain source-spænding, 80 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IAUC80N04S6N036ATMA1

Denne MOSFET er en effekt-switching-transistor, der er designet til overflademonterede anvendelser med høj strømstyrke i barske miljøer. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed og er velegnet til termiske og elektriske opgaver, hvor høje temperaturer og robust strømhåndtering er påkrævet. Komponenten er RoHS-godkendt og bygget til bilkvalitetsstandarder til brug i krævende køretøjselektronik.

Egenskaber og fordele:

• Maksimal kontinuerlig afløbsstrøm på 80 A muliggør høj strømforsyning
• Meget lav RDS(on) på 1.4 mΩ reducerer ledningstab
• Maks. effekttab på 81 W understøtter tunge koblingsbelastninger
• Gate-ladning Qg 80 nC muliggør forudsigelige drevkrav
• Maks. VDS 20 V muliggør lavspændingssystemintegrering

Anvendelser

• Velegnet til DC-DC-konvertertrin i bilsystemer
• Anvendes sammen med strømstyringsmoduler i elektrificerede køretøjer
• Ideel til MOSFET-trin til motordrev i hjælpesystemer
• Kan bruges til batteribeskyttelse og strømfordeling

Hvilke hensyn til gate-driver er nødvendige for effektiv omskiftning?

Forvent en typisk samlet gate-ladning på 80 nC, så gate-drivere skal forsyne og sænke tilstrækkelig strøm for at opnå de ønskede skiftehastigheder og samtidig håndtere skiftetab.

Hvordan påvirker det termiske område implementeringen i køretøjselektronik?

Enheden understøtter drift fra -55 °C til 175 °C, hvilket muliggør placering tæt på varmegenererende komponenter og i motorrummets omgivelsesforhold.

Hvilke monterings- og pakkebegrænsninger gælder for kredsløbslayout?

Den leveres i en SuperSO8 5x6-pakke til overflademontering med otte ben, hvilket kræver et printkortfodaftryk og termisk styring, der er i overensstemmelse med denne pakketype.

Hvilke spændings- og polaritetsbegrænsninger skal designere overholde?

Enheden har en maksimal gate-til-kilde-spænding på 20 V og en maksimal drain-til-kilde-spænding på 20 V, så systemspændingerne skal forblive inden for disse grænser.