Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 40 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 243-9345
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S5L2R8ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 44,58
(ekskl. moms)
Kr. 55,725
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 8,916 | Kr. 44,58 |
| 50 - 120 | Kr. 7,69 | Kr. 38,45 |
| 125 - 245 | Kr. 7,12 | Kr. 35,60 |
| 250 - 495 | Kr. 6,702 | Kr. 33,51 |
| 500 + | Kr. 6,134 | Kr. 30,67 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 243-9345
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S5L2R8ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 40A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IPZ | |
| Emballagetype | SuperSO8 5 x 6 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 40A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IPZ | ||
Emballagetype SuperSO8 5 x 6 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform N | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon har MOSFET, som er OptiMOS power MOSFET til brug i biler, N-kanal-forbedringstilstand - logikniveau og 100 % Avalanche-testet.
N kanal
100 % Avalanche testet
AEC Q101 kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V SuperSO8 5 x 6, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 100 A 40 V N SuperSO8 5 x 6, IPC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 330 A 40 V SuperSO8 5 x 6, ISC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 40 V Forbedring SuperSO8 5 x 6, IAUC AEC-Q101