Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 20 A 40 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, IPZ AEC-Q101 IPZ40N04S53R1ATMA1
- RS-varenummer:
- 229-1850
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 57,63
(ekskl. moms)
Kr. 72,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 24.870 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,763 | Kr. 57,63 |
| 100 - 240 | Kr. 5,475 | Kr. 54,75 |
| 250 - 490 | Kr. 5,243 | Kr. 52,43 |
| 500 - 990 | Kr. 5,012 | Kr. 50,12 |
| 1000 + | Kr. 4,668 | Kr. 46,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1850
- Producentens varenummer:
- IPZ40N04S53R1ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | IPZ | |
| Emballagetype | PQFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 71W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 31nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bredde | 3.3 mm | |
| Længde | 3.3mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie IPZ | ||
Emballagetype PQFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 71W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 31nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.05mm | ||
Bredde 3.3 mm | ||
Længde 3.3mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanals MOSFET med normal effekt til brug i biler. Den har en driftstemperatur på 175 oC og 100 procent lavine testet.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 20 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101 IPZ40N04S58R4ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 40 V Forbedring PQFN, IPZ AEC-Q101 IPZ40N04S55R4ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, IAUT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring PQFN, IAUZ AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 40 A 60 V Forbedring PQFN, IAUZ AEC-Q101 IAUZ40N06S5N050ATMA1
- Infineon Type N-Kanal 40 A 100 V Forbedring PQFN, IAUT AEC-Q101 IAUZ40N10S5N130ATMA1
