Infineon N-Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Forbedring, 8 Ben, PQFN, IAUT AEC-Q101

Denne MOSFET er en N-kanal-transistor med høj strømstyrke og forstærkning, der er designet til overflademonteret effektomskiftning i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til anvendelser, der kræver robust porthåndtering og betydelig kontinuerlig strømkapacitet.

• 100 V drain-source mærkeværdi, der muliggør DC-DC-konvertering med højere spænding
• 40 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter vedvarende drift med høj belastning
• 13 mΩ lav Rds(on), der reducerer ledningstab under omskiftning
• 68 W effekttab, der giver større termisk rum
• ±20 V gate-source-grænse, der giver tolerance for gate-drive-svingninger
• Temperaturområde -55 °C til +175 °C sikrer drift i barske miljøer

• Velegnet til DC-DC-konvertertrin i strømforsyninger
• Ideel til omskiftning med høj strømstyrke i biler
• Anvendes til strømstyring i delsystemer til elektriske køretøjer
• Kan bruges til overflademonterede konstruktioner, der kræver blyfri emballage
• Anvendes sammen med batteristyring og distributionskredsløb

Den leveres i en blyfri PQFN-pakke, der er beregnet til overflademontering.

Portudsving skal forblive inden for ±20 V for at undgå gate-dielektrisk belastning og sikre sikker drift.

68 W mærkeværdi for effekttab angiver, at enheden kan håndtere betydelig varme, tilstrækkelige termiske ledninger til printkort og kobberareal er påkrævet for at opretholde 40 A kontinuerlig afløbsstrøm.

Den er specificeret til at fungere fra -55 °C op til +175 °C, hvilket giver mulighed for brug på tværs af en bred vifte af omgivelsestemperaturer og høje temperaturer.