Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, IAUT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 23.122,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.902,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 11,561Kr. 23.122,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-0892
Producentens varenummer:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IAUT

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 er specielt designet til brug i biler. Dette celledelt planare design af HEXFET'er med effekt-MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde.

N-kanal - forbedringstilstand

AEC-kvalificeret

MSL1 op til 260 °C topreflow

175 °C driftstemperatur

Relaterede links