Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, IAUT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 23.122,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.902,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 11,561Kr. 23.122,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-0892
Producentens varenummer:
IAUT300N08S5N014ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

IAUT

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 er specielt designet til brug i biler. Dette celledelt planare design af HEXFET'er med effekt-MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde.

N-kanal - forbedringstilstand

AEC-kvalificeret

MSL1 op til 260 °C topreflow

175 °C driftstemperatur

Relaterede links