Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, IAUT AEC-Q101 IAUT300N08S5N014ATMA1
- RS-varenummer:
- 244-0893
- Producentens varenummer:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 35,90
(ekskl. moms)
Kr. 44,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 3.985 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 35,90 |
| 10 - 24 | Kr. 34,11 |
| 25 - 49 | Kr. 32,69 |
| 50 - 99 | Kr. 31,27 |
| 100 + | Kr. 29,02 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0893
- Producentens varenummer:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IAUT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IAUT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET IAUT300N08S5N014ATMA1 er specielt designet til brug i biler. Dette celledelt planare design af HEXFET'er med effekt-MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde.
N-kanal - forbedringstilstand
AEC-kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V, D2PAK (TO-263) IPT012N08N5ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V, HSOF-8 IAUT300N08S5N014ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 40 V, D2PAK (TO-263) IPLU300N04S4R8XTMA1
- Infineon N-Kanal 80 A 75 V, D2PAK (TO-263) IPB80N08S2L07ATMA1
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V, D2PAK (TO-263) IPB80N06S4L07ATMA2
- Infineon P-Kanal 80 A 30 V, D2PAK (TO-263) IPB80P03P4L04ATMA2
- Infineon N-Kanal 173 A 80 V D2PAK (TO-263) IPB020N08N5ATMA1
- Infineon N-Kanal 80 A 60 V D2PAK (TO-263) IPB80N06S4L07ATMA2
