Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 123 A 600 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, IPZ
- RS-varenummer:
- 349-268
- Producentens varenummer:
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 152,52
(ekskl. moms)
Kr. 190,65
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 152,52 |
| 10 - 99 | Kr. 137,33 |
| 100 + | Kr. 126,49 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 349-268
- Producentens varenummer:
- IPZA60R016CM8XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 123A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | IPZ | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 16mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 521W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 171nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, JEDEC | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 123A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie IPZ | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 16mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 521W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 171nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, JEDEC | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineons CoolMOS 8. generationsplatform er en revolutionerende teknologi til højspændings-MOSFET'er, designet efter super junction (SJ)-princippet og banebrydende for Infineon Technologies. 600V CoolMOS CM8-serien er efterfølgeren til CoolMOS 7. Den kombinerer fordelene ved en hurtigt skiftende SJ MOSFET med fremragende brugervenlighed, f.eks. lav tendens til ringning, implementeret hurtig kropsdiode til alle produkter med enestående robusthed over for hård kommutering og fremragende ESD-egenskaber. Desuden gør de ekstremt lave switching- og ledningstab i CM8 switching-applikationer endnu mere effektive.
Velegnet til hårde og bløde switching-topologier
Brugervenlighed og hurtigt design gennem lav tendens til ringning
Forenklet varmestyring takket være vores avancerede teknik til fastgørelse af matricer
Velegnet til en lang række anvendelser og effektområder
Løsninger med øget effekttæthed muliggøres ved at bruge produkter med mindre fodaftryk
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 64 A 600 V Forbedring PG-TO247-4, IPZ
- Infineon Type N-Kanal 64 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Type N-Kanal 53 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Type N-Kanal 32.8 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA65
- Infineon Type N-Kanal 163 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA75
- Infineon Type N-Kanal 103 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 89 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC
- Infineon Type N-Kanal 46 A 650 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC