Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 163 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, IMZA75 Nej IMZA75R008M1HXKSA1
- RS-varenummer:
- 351-992
- Producentens varenummer:
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 424,82
(ekskl. moms)
Kr. 531,02
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 240 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 424,82 |
| 10 - 99 | Kr. 382,38 |
| 100 + | Kr. 352,61 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-992
- Producentens varenummer:
- IMZA75R008M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 163A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Udgangseffekt | 517W | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | IMZA75 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 21.1 mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC for Industrial Applications | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 163A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Udgangseffekt 517W | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie IMZA75 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 21.1 mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser JEDEC for Industrial Applications | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon CoolSiC Automotive MOSFET er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Det giver en fordel i ydeevne, pålidelighed og robusthed med fleksibilitet i gate-drivning, hvilket muliggør et forenklet og omkostningseffektivt systemdesign med maksimal effektivitet og effekttæthed.
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Muliggør højere skiftefrekvens
Højere pålidelighed
Robusthed over for parasitære vendinger
Unipolær kørsel
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 163 A 750 V PG-TO247-4, AIMZA75 AIMZA75R008M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 7 4 ben IMZ IMZA75R020M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 32 A 750 V PG-TO247-4, AIM AIMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 32 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R060M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 23 A 750 V PG-TO247-4, AIM AIMZA75R090M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 44 A 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R040M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 60 A 750 V PG-TO247-4, AIM AIMZA75R027M1HXKSA1
- Infineon N-Kanal 16 A. 750 V PG-TO247-4, IMZ IMZA75R140M1HXKSA1
