Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 163 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, AIMZA75 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 351-988
- Producentens varenummer:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 294,56
(ekskl. moms)
Kr. 368,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 294,56 |
| 10 - 99 | Kr. 265,17 |
| 100 + | Kr. 244,60 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 351-988
- Producentens varenummer:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 163A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 750V | |
| Emballagetype | PG-TO247-4 | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.0mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 517W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 178nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 5.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 21.1mm | |
| Højde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 163A | ||
Drain source spænding maks. Vds 750V | ||
Emballagetype PG-TO247-4 | ||
Serie AIMZA75 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.0mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 517W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 178nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 5.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 21.1mm | ||
Højde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser AEC Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC Automotive MOSFET er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Det giver en fordel i ydeevne, pålidelighed og robusthed med fleksibilitet i gate-drivning, hvilket muliggør et forenklet og omkostningseffektivt systemdesign med maksimal effektivitet og effekttæthed.
Overlegen effektivitet ved hård omskiftning
Muliggør højere skiftefrekvens
Højere pålidelighed
Robusthed over for parasitære vendinger
Unipolær kørsel
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 163 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, IMZA75
- Infineon Type N-Kanal 89 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 32 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 16 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 23 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 44 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 75 A 750 V Forbedring PG-TO247-4, CoolSiC AEC-Q101