Infineon N-Kanal, MOSFET, 163 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, AIMZA75 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
351-988
Producentens varenummer:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

163A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Emballagetype

PG-TO247-4

Serie

AIMZA75

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

14.0mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

178nC

Effektafsættelse maks. Pd

517W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

5.3V

Portkildespænding maks.

23V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

5.1mm

Længde

21.1mm

Standarder/godkendelser

AEC Q101

Bredde

15.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon CoolSiC Automotive MOSFET er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Det giver en fordel i ydeevne, pålidelighed og robusthed med fleksibilitet i gate-drivning, hvilket muliggør et forenklet og omkostningseffektivt systemdesign med maksimal effektivitet og effekttæthed.

Overlegen effektivitet ved hård omskiftning

Muliggør højere skiftefrekvens

Højere pålidelighed

Robusthed over for parasitære vendinger

Unipolær kørsel

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.