Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 163 A 750 V Forbedring, 4 Ben, PG-TO247-4, AIMZA75 AEC-Q101 AIMZA75R008M1HXKSA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 438,53

(ekskl. moms)

Kr. 548,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 19. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 438,53
10 - 99Kr. 394,72
100 +Kr. 363,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:
351-988
Producentens varenummer:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

163A

Drain source spænding maks. Vds

750V

Emballagetype

PG-TO247-4

Serie

AIMZA75

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

14.0mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

178nC

Portkildespænding maks.

23 V

Gennemgangsspænding Vf

5.3V

Effektafsættelse maks. Pd

517W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

AEC Q101

Længde

21.1mm

Bredde

15.9 mm

Højde

5.1mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
AT
Infineon CoolSiC Automotive MOSFET er bygget over solid siliciumcarbid-teknologi. Det giver en fordel i ydeevne, pålidelighed og robusthed med fleksibilitet i gate-drivning, hvilket muliggør et forenklet og omkostningseffektivt systemdesign med maksimal effektivitet og effekttæthed.

Overlegen effektivitet ved hård omskiftning

Muliggør højere skiftefrekvens

Højere pålidelighed

Robusthed over for parasitære vendinger

Unipolær kørsel

Relaterede links