Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 230 A 75 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-0891P
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5305TR
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 439,80
(ekskl. moms)
Kr. 549,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.642 enhed(er) afsendes fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 21,99 |
| 50 - 98 | Kr. 20,68 |
| 100 - 198 | Kr. 19,335 |
| 200 + | Kr. 17,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0891P
- Producentens varenummer:
- AUIRFR5305TR
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 230A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 230A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET'en er specielt designet til brug i biler. Dette cellulær planar-design af HEXFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde.
Avanceret planar-teknologi
Lav aktiv modstand
Dynamisk dv/dt-normering
175 °C driftstemperatur