Infineon N-Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101

RS-varenummer:: 244-0901
Producentens varenummer:: IPT012N08N5ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 42.008,00

(ekskl. moms)

Kr. 52.510,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 12. juli 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2000 +	Kr. 21,004	Kr. 42.008,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 244-0901
Producentens varenummer:: IPT012N08N5ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	400A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	IPT
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	1.2mΩ
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Emballagetype TO-263
	Serie IPT
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPT012N08N5ATMA1

Infineon IPT seriens MOSFET, 800 V maksimal drain source-spænding, 400 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPT012N08N5ATMA1

Denne MOSFET er en højspændings, højstrøms koblingsenhed, der er designet til krævende strømkonvertering og bilmiljøer. Den fungerer som en N-kanal-transistor til styring af store jævnstrømsbelastninger og er beregnet til overflademonterede anvendelser, hvor der kræves termisk holdbarhed og robust elektrisk ydeevne.

Egenskaber og fordele:

• 800 V-klassificering muliggør drift af højspændingskontakter
• 400 A kontinuerlig strøm understøtter anvendelser med kraftig belastning
• 1.2 mΩ lav Rds(on) minimerer ledningstab
• 81 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 80 nC gate-ladning muliggør forudsigelig omskiftningskontrol
• Temperaturområde fra -55 °C til 175 °C sikrer bred termisk tolerance

Anvendelser

• Velegnet til højspændings invertertrin
• Ideel til batteristyring og strømfordeling
• Anvendes sammen med strømomformere til biler, der opfylder AEC-Q101-kravene
• Kan bruges til omskiftning af industrielle motordrev
• Anvendes til DC-DC-omformertopologier med høj strømstyrke

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes?

Enheden accepterer op til 20 V mellem port og kilde og kræver passende portdrevniveauer inden for denne grænse.

Hvilken pakke skal overvejes til termisk styring?

TO‐263-pakken til overflademontering tilbyder et stort område med varmepude til kølelegeme og PCB-varmeafledning.

Hvordan håndterer komponenten bilkvalifikation?

Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-bilteststandarden for halvlederenheder, der bruges i køretøjer.

Hvilken overholdelse af miljøforskrifter er der?

Komponenten opfylder RoHS-kravene for begrænsede farlige stoffer.

Hvad er kanalens ledningstype og omskiftningsretning?

Det er en N-kanal-enhed, der er konfigureret til drain-til-kilde-ledning i konventionelle high-side- eller low-side-kontaktarrangementer.