Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 174 A 150 V, 7 Ben, TO-263, IPT
- RS-varenummer:
- 260-2676
- Producentens varenummer:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 39,34
(ekskl. moms)
Kr. 49,18
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 150 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 39,34 |
| 10 - 24 | Kr. 35,38 |
| 25 - 49 | Kr. 33,06 |
| 50 - 99 | Kr. 31,04 |
| 100 + | Kr. 28,72 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-2676
- Producentens varenummer:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 174A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.4mΩ | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 71nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.82V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 174A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.4mΩ | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 71nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.82V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET leveres i det forbedrede TO-ledningshus med gullwing-ledninger, der har et kompatibelt bundareal til TO-ledningsfri, hvilket giver fremragende elektrisk ydeevne. Det er den bedste teknologi i sin klasse med en høj mærkestrøm.
Lav ringing og overspænding
Højtydende kapacitet
Høj systempålidelighed
Høj effektivitet og lavere EMI
Optimeret udnyttelse af kortet
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V N TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V Forbedring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 190 A 319 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 400 A 800 V TO-263, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 136 A 150 V N TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 143 A 150 V HSOG, IPT