Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 319 V, 16 Ben, TO-263, IPT
- RS-varenummer:
- 260-2670
- Producentens varenummer:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 44,51
(ekskl. moms)
Kr. 55,64
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 44,51 |
| 10 - 24 | Kr. 40,02 |
| 25 - 49 | Kr. 37,40 |
| 50 - 99 | Kr. 35,16 |
| 100 + | Kr. 32,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-2670
- Producentens varenummer:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 319V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 74nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 319W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.81V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.1mm | |
| Bredde | 10.3 mm | |
| Højde | 2.35mm | |
| Standarder/godkendelser | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190A | ||
Drain source spænding maks. Vds 319V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 74nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 319W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.81V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.1mm | ||
Bredde 10.3 mm | ||
Højde 2.35mm | ||
Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET giver et kølehus for fremragende termisk ydeevne med et innovativt hus kombineret med de vigtigste funktioner i teknologien, der muliggør de bedste produkter i klassen samt høj mærkestrøm til konstruktioner med høj effekttæthed.
Øget systemets effektivitet muliggør forlænget batterilevetid
Høj effekttæthed
Fremragende termisk ydeevne
Besparelser i kølesystem
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 190 A 319 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 400 A 800 V TO-263, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 190 A 150 V TOLG, IPT
- Infineon Type N-Kanal 190 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 190 A 60 V Forbedring TO-263, iPB
- Infineon Type N-Kanal 190 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET