Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 150 V, 8 Ben, TOLG, IPT Nej
- RS-varenummer:
- 260-2673
- Producentens varenummer:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1800 enheder)*
Kr. 49.708,80
(ekskl. moms)
Kr. 62.136,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1800 + | Kr. 27,616 | Kr. 49.708,80 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 260-2673
- Producentens varenummer:
- IPTG039N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TOLG | |
| Serie | IPT | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.81V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 74nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 319W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TOLG | ||
Serie IPT | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.81V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 74nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 319W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon MOSFET leveres i det forbedrede TO-ledningshus med gullwing-ledninger, der har et kompatibelt bundareal til TO-ledningsfri, hvilket giver fremragende elektrisk ydeevne. Det er den bedste teknologi i sin klasse med en høj mærkestrøm.
Højtydende kapacitet
Høj systempålidelighed
Høj effektivitet og lavere EMI
Optimeret udnyttelse af kortet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 190 A 150 V TOLG IPTG039N15NM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 190 A 150 V HSOF-8 IPT039N15N5ATMA1
- Infineon N-Kanal 190 A 150 V D2PAK IPTC039N15NM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 77 A 250 V PG HSOG-8 (TOLG), OptiMOS™ 3 IPTG210N25NM3FDATMA1
- Infineon N-Kanal 366 A. 100 V PG HSOG-8 (TOLG), OptiMOS™ 5 IPTG014N10NM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 108 A 200 V PG HSOG-8 (TOLG), OptiMOS™ 3 IPTG111N20NM3FDATMA1
- Infineon N-Kanal 454 A. 60 V PG HSOG-8 (TOLG), OptiMOS™ 5 IPTG007N06NM5ATMA1
- Infineon N-Kanal 300 A 80 V PG HSOG-8 (TOLG), OptiMOS™ 5 IAUS300N08S5N012ATMA1
