Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 122 A 150 V, 16 Ben, HDSOP, IPT
- RS-varenummer:
- 259-2736
- Producentens varenummer:
- IPTC063N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 46,97
(ekskl. moms)
Kr. 58,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.800 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 46,97 |
| 10 - 24 | Kr. 42,11 |
| 25 - 49 | Kr. 39,42 |
| 50 - 99 | Kr. 36,65 |
| 100 + | Kr. 34,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 259-2736
- Producentens varenummer:
- IPTC063N15NM5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 122A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Emballagetype | HDSOP | |
| Benantal | 16 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 6.3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 214W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.84V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.35mm | |
| Længde | 10.1mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 122A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Emballagetype HDSOP | ||
Benantal 16 | ||
Drain source modstand maks. Rds 6.3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 214W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.84V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.35mm | ||
Længde 10.1mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 industrielle effekt-MOSFET-enheder i 80 V og 100 V er designet til synkron ensretning i telekommunikation og server strømforsyning, men også det ideelle valg til andre anvendelser som f.eks. solcelleanlæg, lavspændingsdrev og bærbar computeradapter. Med en bred pakkeportefølje giver denne serie af effekt-MOSFET'er branchens laveste RDS(on). Et af de største bidrag til denne brancheførende fortjenstfaktor (FOM) er den lave modstand i tændt tilstand med en værdi så lav som 2,7 mΩ i SuperSO8-huset, der giver det højeste niveau af effekttæthed og effektivitet.
N-kanal, normalt niveau
Meget lav modstand ved tændt RDS(on)
Fremragende termisk modstand
100 % lavine-testet
Blyfri ledningsbelægning; I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-26
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 122 A 150 V HDSOP, IPT
- Infineon Type N-Kanal 143 A 150 V HDSOP, IPT
- Infineon Type N-Kanal 122 A 150 V HSOG, IPT
- Infineon Type N-Kanal 365 A 100 V HDSOP, IPT
- Infineon Type N-Kanal 408 A 80 V HDSOP, IPT
- Infineon Type N-Kanal 122 A 150 V Forbedring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 143 A 150 V HSOG, IPT
- Infineon Type N-Kanal 190 A 150 V TOLG, IPT