Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 100 V, 7 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRLS4030TRL7PP
- RS-varenummer:
- 217-2642
- Producentens varenummer:
- IRLS4030TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 151,01
(ekskl. moms)
Kr. 188,76
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 110 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 30,202 | Kr. 151,01 |
| 10 - 20 | Kr. 27,182 | Kr. 135,91 |
| 25 - 45 | Kr. 25,672 | Kr. 128,36 |
| 50 - 120 | Kr. 23,862 | Kr. 119,31 |
| 125 + | Kr. 22,036 | Kr. 110,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2642
- Producentens varenummer:
- IRLS4030TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.1mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 370W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 140nC | |
| Portkildespænding maks. | 16 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 15.3mm | |
| Længde | 10.35mm | |
| Bredde | 4.55 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.1mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 370W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 140nC | ||
Portkildespænding maks. 16 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 15.3mm | ||
Længde 10.35mm | ||
Bredde 4.55 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 100 V enkelt N-kanal HEXFET Power MOSFET i et 7-benet D2-Pak hus.
Optimeret til logikniveaudrev
Meget lav RDS(ON) ved 4,5 V VGS
Overlegen R * Q ved 4,5 V VGS i
Forbedret gate, lavine og dynamisk DV/dt robusthed
Fuldt karakteriseret kapacitans og lavine SOA
Forbedret husdiode DV/dt og di/dt
Blyfri
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 190 A 100 V D2PAK-7, HEXFET IRLS4030TRL7PP
- Infineon N-Kanal 190 A 100 V D2PAK-7, HEXFET IRFS4010TRL7PP
- Infineon N-Kanal 300 A 60 V D2PAK-7, HEXFET IRLS3036TRL7PP
- Infineon N-Kanal 293 A 60 V D2PAK-7, HEXFET IRFS3006TRL7PP
- Infineon N-Kanal 478 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC209
- Infineon N-Kanal 269 A 75 V D2PAK-7, HEXFET IRFS7730TRL7PP
- Infineon N-Kanal 557 A. 40 V D2PAK-7, HEXFET IRL40SC228
- Infineon N-Kanal 380 A 40 V D2PAK-7, HEXFET IRLS3034TRL7PP
