Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 21.542,00

(ekskl. moms)

Kr. 26.928,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 10,771Kr. 21.542,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-0906
Producentens varenummer:
IPT026N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

400A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

IPT

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal Power MOSFET IPT026N10N5 in-to-Leadless (BETALING) hus er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. MED en pladsreduktion på 60 % i forhold til D2PAK 7pin-pakken er BETALINGSOPKRÆVNING den perfekte løsning, hvor der kræves den højeste effektivitet, fremragende EMI-adfærd samt den bedste termiske adfærd og pladsreduktion.

Ideel til højfrekvent switching og synk-optagelse

Fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)

Meget lav RDS-modstand (til)

Relaterede links