Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-0904
- Producentens varenummer:
- IPT020N10N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 32,69
(ekskl. moms)
Kr. 40,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.755 enhed(er) afsendes fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 32,69 |
| 10 - 24 | Kr. 31,04 |
| 25 - 49 | Kr. 30,44 |
| 50 - 99 | Kr. 28,42 |
| 100 + | Kr. 26,40 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0904
- Producentens varenummer:
- IPT020N10N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 400A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | IPT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 400A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie IPT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon industriel effekt MOSFET IPT020N10N5 i TO-Leadless fra Infineon er det ideelle valg til høje switching-frekvenser.
Ideel til højfrekvent switching og syncrec
Fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)
Meget lav RDS-modstand (til)
Meget lav RDS-modstand (til)
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 400 A 800 V TO-263, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 400 A 40 V HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 400 A 40 V Forbedring HSOF-8, IPT AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 190 A 319 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 174 A 150 V TO-263, IPT
- Infineon Type N-Kanal 4.5 A 800 V TO-263, IPL AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 17 A 800 V Forbedring iPB AEC-Q101