Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 400 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPT AEC-Q101 IPT026N10N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 26,27

(ekskl. moms)

Kr. 32,84

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.632 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 26,27
10 - 24Kr. 24,98
25 - 49Kr. 23,86
50 - 99Kr. 22,81
100 +Kr. 21,32

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-0907
Producentens varenummer:
IPT026N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

400A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-263

Serie

IPT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal Power MOSFET IPT026N10N5 in-to-Leadless (BETALING) hus er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. MED en pladsreduktion på 60 % i forhold til D2PAK 7pin-pakken er BETALINGSOPKRÆVNING den perfekte løsning, hvor der kræves den højeste effektivitet, fremragende EMI-adfærd samt den bedste termiske adfærd og pladsreduktion.

Ideel til højfrekvent switching og synk-optagelse

Fremragende gate-opladning x RDS(on)-produkt (FOM)

Meget lav RDS-modstand (til)

Relaterede links