Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 100 V Forbedring, 8 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0998
- Producentens varenummer:
- IRFS4010TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 62,23
(ekskl. moms)
Kr. 77,788
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Plus 2 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Sidste 2 enhed(er) afsendes fra 15. juni 2026
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 31,115 | Kr. 62,23 |
| 20 - 48 | Kr. 28,05 | Kr. 56,10 |
| 50 - 98 | Kr. 26,18 | Kr. 52,36 |
| 100 - 198 | Kr. 24,235 | Kr. 48,47 |
| 200 + | Kr. 13,425 | Kr. 26,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0998
- Producentens varenummer:
- IRFS4010TRL7PP
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 190A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 380W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 150nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.83mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 380W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 150nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.83mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 190 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 190 A 100 V TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 190 A 40 V Forbedring TO-220, HEXFET
- Infineon Type N MOSFET 3 Ben HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 105 A 150 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 29 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 183 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 173 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET