Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

RS-varenummer:: 145-9431
Producentens varenummer:: IRF1404ZPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 362,50

(ekskl. moms)

Kr. 453,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

1.000 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 7,25	Kr. 362,50
100 - 200	Kr. 6,888	Kr. 344,40
250 - 450	Kr. 6,597	Kr. 329,85
500 - 1200	Kr. 6,162	Kr. 308,10
1250 +	Kr. 5,80	Kr. 290,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 145-9431
Producentens varenummer:: IRF1404ZPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	190A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Serie	HEXFET
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	220W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	100nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	8.77mm
	Længde	10.54mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.69 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Serie HEXFET
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 220W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 8.77mm
	Længde 10.54mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.69 mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 180 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 40 V maksimal drænkildespænding - IRF1404ZPBF

Denne MOSFET er en højtydende effektkomponent, der er designet til en lang række anvendelser i bil- og industrisektoren. Med en robust kontinuerlig drain-strøm på 180A og en maksimal drain-source-spænding på 40V udmærker den sig i krævende miljøer. TO-220AB-pakken gør det nemt at montere og sikrer effektiv integration i elektroniske kredsløb og systemer.

Egenskaber og fordele

• Udnytter HEXFET-teknologi til forbedret effektivitet

• Designet til forbedringstilstand for at optimere skift

• Giver hurtig skiftehastighed for at øge den samlede effektivitet

• Kan gentage laviner for at øge pålideligheden

Anvendelser

• Ideel til brug i motorstyringskredsløb

• Anvendes i strømforsyninger og omformere

• Designet til brug i bilindustrien

• Velegnet til forskellige industrielle automatiseringssystemer

• Effektiv i strømstyring og switching

Hvordan gavner den lave on-resistance mine applikationer?

Den lave on-modstand på 2,7 mΩ reducerer ledningstabet og forbedrer den samlede effektivitet i systemer til effektomdannelse og energistyring.

Hvad sker der, hvis enheden overskrider sin maksimale driftstemperatur?

Hvis den maksimale driftstemperatur på +175 °C overskrides, kan det føre til forringet ydeevne og potentielle fejl, hvilket understreger behovet for passende varmestyring.

Kan den bruges i parallelle konfigurationer?

Ja, når de bruges i parallelle konfigurationer, er det vigtigt at afbalancere strømdelingen mellem enhederne for at undgå overophedning og maksimere ydeevnen.