Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 145-9431
Producentens varenummer:: IRF1404ZPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 190 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 322,25

(ekskl. moms)

Kr. 402,80

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 6,445	Kr. 322,25
100 - 200	Kr. 6,123	Kr. 306,15
250 - 450	Kr. 5,864	Kr. 293,20
500 - 1200	Kr. 5,478	Kr. 273,90
1250 +	Kr. 5,155	Kr. 257,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 145-9431
Producentens varenummer:: IRF1404ZPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	190A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	4mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	100nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	220W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	8.77mm
	Bredde	4.69 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	10.54mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 190A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 4mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 220W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 8.77mm
	Bredde 4.69 mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 10.54mm
	Bilindustristandarder Nej

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 180 A maksimal kontinuerlig drænstrøm, 40 V maksimal drænkildespænding - IRF1404ZPBF

Denne MOSFET er en højtydende effektkomponent, der er designet til en lang række anvendelser i bil- og industrisektoren. Med en robust kontinuerlig drain-strøm på 180A og en maksimal drain-source-spænding på 40V udmærker den sig i krævende miljøer. TO-220AB-pakken gør det nemt at montere og sikrer effektiv integration i elektroniske kredsløb og systemer.

Egenskaber og fordele

• Udnytter HEXFET-teknologi til forbedret effektivitet

• Designet til forbedringstilstand for at optimere skift

• Giver hurtig skiftehastighed for at øge den samlede effektivitet

• Kan gentage laviner for at øge pålideligheden

Anvendelser

• Ideel til brug i motorstyringskredsløb

• Anvendes i strømforsyninger og omformere

• Designet til brug i bilindustrien

• Velegnet til forskellige industrielle automatiseringssystemer

• Effektiv i strømstyring og switching

Hvordan gavner den lave on-resistance mine applikationer?

Den lave on-modstand på 2,7 mΩ reducerer ledningstabet og forbedrer den samlede effektivitet i systemer til effektomdannelse og energistyring.

Hvad sker der, hvis enheden overskrider sin maksimale driftstemperatur?

Hvis den maksimale driftstemperatur på +175 °C overskrides, kan det føre til forringet ydeevne og potentielle fejl, hvilket understreger behovet for passende varmestyring.

Kan den bruges i parallelle konfigurationer?

Ja, når de bruges i parallelle konfigurationer, er det vigtigt at afbalancere strømdelingen mellem enhederne for at undgå overophedning og maksimere ydeevnen.