Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-varenummer:: 244-0945
Producentens varenummer:: IPD80R280P7ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Indhold (2500 enheder, på en rulle med 2500)*

Kr. 18.132,50

(ekskl. moms)

Kr. 22.665,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 18. juni 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 7,253	Kr. 18.132,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 244-0945
Producentens varenummer:: IPD80R280P7ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	180A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	TO-252
	Serie	IPD
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.2mΩ
	Kanalform	N
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Gennemgangsspænding Vf	900mV
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype TO-252
	Serie IPD
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ
	Kanalform N
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Gennemgangsspænding Vf 900mV
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPD80R280P7ATMA1

Infineon IPD seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 180 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD80R280P7ATMA1

Denne MOSFET er en N-kanal-transistor, der er designet til kobling med høj strøm i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde til krævende miljøer og indeholder en indbygget diode med defineret fremadgående spænding, hvilket gør den velegnet til biler og industrielle effekttrin.

Egenskaber og fordele:

• 40 V maksimal drain-source-spænding, der muliggør brug af midspændingssystemer
• 180 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige strømbelastninger
• 1.2 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 81 W effekttab muliggør vedvarende drift med høj effekt
• 80 nC gate-opladning for hurtig skifteydeevne
• Vgs 20 V maks. portklassificering, der beskytter portdrevdesign

Anvendelser

• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler
• Ideel til DC/DC-omformere i køretøjer
• Anvendes til motordrevstrin i elektriske systemer
• Kan bruges til belastningsswitching i strømstyring
• Velegnet til SMD-enheder med høj strømstyrke på kort

Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C til +150 °C, hvilket giver et bredt termisk område til barske miljøer.

Hvordan opfører den iboende diode sig elektrisk?

Husdioden udviser en fremadgående spænding på 0,9 V, som påvirker recirkulationsstrøm og ledningstab under omvendt ledning.

Hvilke hensyn til emballage og montering gælder for printkortdesign?

Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til overflademontering, hvilket kræver et passende loddepude-design og termisk styring på printkortet.

Er den velegnet til projekter i bilkvalitet med hensyn til kvalifikation?

Den opfylder AEC-Q101-standarden for egnethed til elektroniske anvendelser i biler.