Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 10.540,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.175,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 29. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 4,216Kr. 10.540,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-0879
Producentens varenummer:
IPD650P06NMATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMoSTM effekttransistoren har blyfri blybelægning, overholder RoHS og er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21.

P-kanal

Meget lav RDS-modstand (til)

100 % avalanche-testet

Normalt niveau

Enhancement mode

Relaterede links