Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-0944
- Producentens varenummer:
- IPD65R225C7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 28,27
(ekskl. moms)
Kr. 35,338
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.464 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 14,135 | Kr. 28,27 |
| 10 - 18 | Kr. 13,425 | Kr. 26,85 |
| 20 - 48 | Kr. 12,12 | Kr. 24,24 |
| 50 - 98 | Kr. 10,845 | Kr. 21,69 |
| 100 + | Kr. 10,32 | Kr. 20,64 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0944
- Producentens varenummer:
- IPD65R225C7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform N | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineons CoolMOS C7 Power MOSFET'er er et revolutionerende skridt fremad inden for teknologi, der giver lav RDS(on)/pakke og, takket være de lave tab ved skift, effektivitetsforbedringer i hele belastningsområdet. De tilbyder verdens laveste RDS(on) af 19mΩ i A TIL -247 og 45mΩ in TO-220 og D2PAK pakker. Den hurtige skifteevne på C7 gør det nu muligt for kunderne at arbejde ved switching-frekvenser over 100kHz, samtidig med at de opnår titaniumniveauer af effektivitet i Server PFC-faserne.
650V spænding
Revolutionerende Best-in-Class RDS(on)/pakke
Reduceret energi lagret i udgangskapacitet (Eoss)
Sænk portens ladefunktion QG
Pladsbesparende ved brug af mindre pakker eller reduktion af dele
Forbedret sikkerhedsmargen og velegnet til både SMPS- og solcellesystemer
Laveste ledningstab/pakke
Lave koblingstab
Bedre effektivitet ved let belastning
Øger effekttætheden
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 75 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 75 A N IPD