Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 38,97

(ekskl. moms)

Kr. 48,71

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.205 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 7,794Kr. 38,97
50 - 120Kr. 6,462Kr. 32,31
125 - 245Kr. 6,088Kr. 30,44
250 - 495Kr. 5,596Kr. 27,98
500 +Kr. 5,222Kr. 26,11

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-1596
Producentens varenummer:
IPD80R1K2P7ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

P

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET 800V CoolMOS P7-serien sætter en ny standard inden for 800V superjunction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med ART brugervenlighed, der er resultatet af Infineons mere end 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi.

Klassens bedste FOM RDS(on) * Eoss

Klassens bedste DPAK RDS (til)

Klassens bedste V (GS) TH af 3V

Fuldt optimeret portefølje

Integreret ESD-beskyttelse med zenerdiode

Relaterede links