Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V P, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-1596
- Producentens varenummer:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 38,97
(ekskl. moms)
Kr. 48,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.205 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 7,794 | Kr. 38,97 |
| 50 - 120 | Kr. 6,462 | Kr. 32,31 |
| 125 - 245 | Kr. 6,088 | Kr. 30,44 |
| 250 - 495 | Kr. 5,596 | Kr. 27,98 |
| 500 + | Kr. 5,222 | Kr. 26,11 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1596
- Producentens varenummer:
- IPD80R1K2P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | P | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform P | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET 800V CoolMOS P7-serien sætter en ny standard inden for 800V superjunction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med ART brugervenlighed, der er resultatet af Infineons mere end 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi.
Klassens bedste FOM RDS(on) * Eoss
Klassens bedste DPAK RDS (til)
Klassens bedste V (GS) TH af 3V
Fuldt optimeret portefølje
Integreret ESD-beskyttelse med zenerdiode
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 75 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.7 A P IPD