Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-0880
- Producentens varenummer:
- IPD650P06NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 23,86
(ekskl. moms)
Kr. 29,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.160 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,93 | Kr. 23,86 |
| 20 - 48 | Kr. 10,06 | Kr. 20,12 |
| 50 - 98 | Kr. 9,35 | Kr. 18,70 |
| 100 - 198 | Kr. 8,715 | Kr. 17,43 |
| 200 + | Kr. 8,115 | Kr. 16,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-0880
- Producentens varenummer:
- IPD650P06NMATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.7mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET OptiMoSTM effekttransistoren har blyfri blybelægning, overholder RoHS og er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21.
P-kanal
Meget lav RDS-modstand (til)
100 % avalanche-testet
Normalt niveau
Enhancement mode
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 75 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 1.7 A P IPD