Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD650P06NMATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 21,69

(ekskl. moms)

Kr. 27,112

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.162 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 10,845Kr. 21,69
20 - 48Kr. 9,125Kr. 18,25
50 - 98Kr. 8,49Kr. 16,98
100 - 198Kr. 7,93Kr. 15,86
200 +Kr. 7,445Kr. 14,89

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-0880
Producentens varenummer:
IPD650P06NMATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.7mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon MOSFET OptiMoSTM effekttransistoren har blyfri blybelægning, overholder RoHS og er halogenfri i henhold til IEC61249-2-21.

P-kanal

Meget lav RDS-modstand (til)

100 % avalanche-testet

Normalt niveau

Enhancement mode

Relaterede links