Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V N, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-1592
- Producentens varenummer:
- IPD30N12S3L31ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 61,49
(ekskl. moms)
Kr. 76,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 85 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.515 enhed(er) afsendes fra 18. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 12,298 | Kr. 61,49 |
| 50 - 120 | Kr. 10,112 | Kr. 50,56 |
| 125 - 245 | Kr. 9,364 | Kr. 46,82 |
| 250 - 495 | Kr. 8,736 | Kr. 43,68 |
| 500 + | Kr. 8,094 | Kr. 40,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1592
- Producentens varenummer:
- IPD30N12S3L31ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon MOSFET OptiMOSTM Power MOSFET til brug i biler er et grønt produkt i overensstemmelse med RoHS og er AEC Q101-kvalificeret til brug i biler.
N-kanal - forbedringstilstand
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
100 % Avalanche testet
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 75 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 180 A 40 V P TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 100 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 180 A 40 V N TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 18.1 A N IPD
- Infineon N-Kanal 9.9 A N IPD