DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Forbedring, 10 Ben, 4-DSN3015-10, DMN AEC-Q101 DMN12M8UCA10-7
- RS-varenummer:
- 244-1915
- Producentens varenummer:
- DMN12M8UCA10-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 98,625
(ekskl. moms)
Kr. 123,275
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.925 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,945 | Kr. 98,63 |
| 50 - 475 | Kr. 3,878 | Kr. 96,95 |
| 500 - 975 | Kr. 2,776 | Kr. 69,40 |
| 1000 + | Kr. 2,714 | Kr. 67,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-1915
- Producentens varenummer:
- DMN12M8UCA10-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | 4-DSN3015-10 | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 10 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.73W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 36.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 1.54 mm | |
| Længde | 3.03mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 0.16mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype 4-DSN3015-10 | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 10 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.73W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 36.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 1.54 mm | ||
Længde 3.03mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 0.16mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex MOSFET er designet til at minimere ON-state-modstanden og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver.
ESD-beskyttelse af låge
Helt blyfri og fuldt RoHS-kompatibel
Grøn enhed uden halogen og antimon
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 4 - DSN3015 - 10 DMN12M8UCA10-7
- DiodesZetex N-Kanal X4-DSN1717-4 DMN2009UCA4-7
- DiodesZetex N-Kanal X4-DSN1111-4 DMN2030UCA4-7
- DiodesZetex N-Kanal 10 A 20 V WDFN DMN2013UFX-7
- DiodesZetex N-Kanal 10 A 30 V U-DFN2020 DMN3016LFDFQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 3 TSOT26 DMN3061SVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 4 TSOT26 DMN4060SVTQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 7 A 20 V TSOT-26 DMN2024UVTQ-7
