Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, ISS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 244-2275P
- Producentens varenummer:
- ISS17EP06LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 85,30
(ekskl. moms)
Kr. 106,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.160 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 0,853 |
| 250 - 490 | Kr. 0,80 |
| 500 - 990 | Kr. 0,748 |
| 1000 + | Kr. 0,688 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-2275P
- Producentens varenummer:
- ISS17EP06LMXTSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | ISS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie ISS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon P-kanal Power MOSFET giver designfleksibilitet og nem håndtering, så den opfylder de højeste krav til ydeevne, som omfatter -12V-serien af produkter, der er særdeles velegnede til batteribeskyttelse, beskyttelse mod omvendt polaritet, lineære batteriopladere, belastningsafbrydere, DC-DC-konvertere, og lavspændingsdrev.
P-kanal
Lav modstand ved RDS (til)
100 % Avalanche testet
Logikniveau eller normalt niveau
Enhancement mode
Blyfri forgyldning; I overensstemmelse med RoHS
Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21