Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 24,61

(ekskl. moms)

Kr. 30,762

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Restlager hos RS
  • Sidste 1.442 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 12,305Kr. 24,61
20 - 48Kr. 10,25Kr. 20,50
50 - 98Kr. 9,46Kr. 18,92
100 - 198Kr. 8,825Kr. 17,65
200 +Kr. 8,23Kr. 16,46

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-2883
Producentens varenummer:
AUIRLR3410TRL
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

AUIRFS

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3mΩ

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon AUIRLR3410TRL er specielt designet til brug i biler. Dette Stripe Planar-design af HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-Resistance pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.

Avanceret planar-teknologi

Lav aktiv modstand

Gate-drev på logikniveau

Dynamisk DV/DT-klassificering

175 °C driftstemperatur

Hurtigt skift

Fuldt lavine-klassificeret

Repetitive Avalanche tilladt op til Tjmax

Blyfri, Overholder RoHS

Godkendt til brug i biler *

Relaterede links