Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101 AUIRFZ24NSTRL
- RS-varenummer:
- 249-6878
- Producentens varenummer:
- AUIRFZ24NSTRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 35,90
(ekskl. moms)
Kr. 44,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 604 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 17,95 | Kr. 35,90 |
| 20 - 48 | Kr. 14,55 | Kr. 29,10 |
| 50 - 98 | Kr. 13,425 | Kr. 26,85 |
| 100 - 198 | Kr. 12,715 | Kr. 25,43 |
| 200 + | Kr. 11,705 | Kr. 23,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6878
- Producentens varenummer:
- AUIRFZ24NSTRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | AUIRFS | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie AUIRFS | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 17 A 20 V HEXFET AUIRFZ24NSTRL
- Infineon N-Kanal 17 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF530NSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 42 A 75 V HEXFET AUIRFR2407TRL
- Infineon N-Kanal 72 A 20 V HEXFET AUIRFS4127TRL
- Infineon N-Kanal 10 A 100 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL520NSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 94 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 86 A 55 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRL3705ZSTRLPBF
- Infineon N-Kanal 84 A 60 V D2PAK (TO-263), HEXFET IRF1010ESTRLPBF
