Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 20 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6878
- Producentens varenummer:
- AUIRFZ24NSTRL
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 35,90
(ekskl. moms)
Kr. 44,88
(inkl. moms)
Tilføj 36 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 604 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 17,95 | Kr. 35,90 |
| 20 - 48 | Kr. 14,55 | Kr. 29,10 |
| 50 - 98 | Kr. 13,425 | Kr. 26,85 |
| 100 - 198 | Kr. 12,715 | Kr. 25,43 |
| 200 + | Kr. 11,705 | Kr. 23,41 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6878
- Producentens varenummer:
- AUIRFZ24NSTRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 17 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 72 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 127 A 100 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
