Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 42 A 75 V, 3 Ben, TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6873
- Producentens varenummer:
- AUIRFR2407TRL
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 40.608,00
(ekskl. moms)
Kr. 50.760,00
(inkl. moms)
Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 26. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 13,536 | Kr. 40.608,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6873
- Producentens varenummer:
- AUIRFR2407TRL
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3mΩ | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie AUIRFS | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3mΩ | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon HEXFET Power MOSFET'er anvender de nyeste behandlingsteknikker til at opnå lav on-modstand pr. silikoneområde. Denne fordel kombineret med den hurtige koblingshastighed og det robuste enhedsdesign, som HEXFET power MOSFET'er er kendt for, giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i biler og en lang række andre anvendelser.
Avanceret planlæggerteknologi
LowOn - modstand
Dynamisk DV/DT-klassificering
175 C driftstemperatur
Hurtigt skift
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 42 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 260 A 75 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 17 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 72 A 20 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 160 A 60 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 127 A 100 V TO-263, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-263, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 230 A 75 V TO-220, AUIRFS AEC-Q101
